CN 41-1243/TG ISSN 1006-852X

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SiC衬底精密抛光分子动力学模拟研究进展

张佳誉 孟二超 孙建林 季建忠

张佳誉, 孟二超, 孙建林, 季建忠. SiC衬底精密抛光分子动力学模拟研究进展[J]. 金刚石与磨料磨具工程. doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2024.0070
引用本文: 张佳誉, 孟二超, 孙建林, 季建忠. SiC衬底精密抛光分子动力学模拟研究进展[J]. 金刚石与磨料磨具工程. doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2024.0070
Advance on molecular dynamics simulations of precision polishing of SiC[J]. Diamond & Abrasives Engineering. doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2024.0070
Citation: Advance on molecular dynamics simulations of precision polishing of SiC[J]. Diamond & Abrasives Engineering. doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2024.0070

SiC衬底精密抛光分子动力学模拟研究进展

doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2024.0070

Advance on molecular dynamics simulations of precision polishing of SiC

  • 摘要: 摘要  【背景】化学机械抛光(CMP)是SiC衬底平坦化的关键技术,目前对CMP抛光工艺已有大量研究,但磨粒与SiC表面相互作用机理并不明朗。分子动力学(MD)模拟是基于牛顿运动定律和量子力学原理,用于揭示物质微观结构和性质之间相互作用的模拟方法,目前被广泛应用于SiC表面去除机理研究。【内容】文章首先分析了SiC精密抛光中的MD模拟常用的势函数,将其对应的应用领域进行总结,然后将现有的SiC化学机械抛光MD模拟研究进行整合分析。【现状】结果表明,Tersoff势在机械行为方面的研究中应用较多,而研究SiC表面化学反应和吸附行为使用ReaxFF反应力场较多。SiC衬底精密抛光的MD模拟主要分为三大类:SiC材料性能、磨粒磨削、SiC表面化学反应。目前大部分研究集中于磨粒与SiC表面的机械行为作用,对于化学反应机理的研究相对较少。【前景】未来研究的重点在于利用ReaxFF反应力场通过分子动力学模拟研究SiC在各种条件下的反应机理,构建更多势函数以适配不同抛光条件,建立综合模型考虑多种因素对表面相互作用的影响。

     

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出版历程
  • 收稿日期:  2024-04-17
  • 修回日期:  2024-06-14
  • 录用日期:  2024-07-04
  • 网络出版日期:  2024-07-04

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