CN 41-1243/TG ISSN 1006-852X

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掺硼浓度与沉积气压对Ti/BDD微观结构和电化学氧化性能影响规律研究

刘典宏 尹钊 陈峰磊 马莉 李静 魏秋平

刘典宏, 尹钊, 陈峰磊, 马莉, 李静, 魏秋平. 掺硼浓度与沉积气压对Ti/BDD微观结构和电化学氧化性能影响规律研究[J]. 金刚石与磨料磨具工程. doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2023.0071
引用本文: 刘典宏, 尹钊, 陈峰磊, 马莉, 李静, 魏秋平. 掺硼浓度与沉积气压对Ti/BDD微观结构和电化学氧化性能影响规律研究[J]. 金刚石与磨料磨具工程. doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2023.0071
Effect of boron concentration and gas pressure on the electrochemical oxidation performance changes of HFCVD diamond films on Ti substrates[J]. Diamond & Abrasives Engineering. doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2023.0071
Citation: Effect of boron concentration and gas pressure on the electrochemical oxidation performance changes of HFCVD diamond films on Ti substrates[J]. Diamond & Abrasives Engineering. doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2023.0071

掺硼浓度与沉积气压对Ti/BDD微观结构和电化学氧化性能影响规律研究

doi: 10.13394/j.cnki.jgszz.2023.0071
基金项目: 国家十四五重点研究发展计划;湖南省高新技术产业科技创新引领计划;广东省十三五重点研究开发项目;国家自然科学基金

Effect of boron concentration and gas pressure on the electrochemical oxidation performance changes of HFCVD diamond films on Ti substrates

  • 摘要: 系统探究在HFCVD生长掺硼金刚石过程中,掺硼浓度与沉积气压对Ti基掺硼金刚石薄膜的微观结构与电化学氧化性能的影响。并以四环素作为模拟污染物进行电化学氧化降解实验。使用扫描电子显微镜、拉曼光谱、紫外分光光度计以及电化学工作站对电极表面形貌、成分以及电化学性能进行表征。结果表明:随着掺硼浓度与沉积气压的增大,金刚石薄膜表面晶粒明显细化,生长速率下降;然而随着气压的升高,金刚石的晶粒质量逐渐降低,但硼原子掺杂则会提高金刚石晶粒质量;高掺硼浓度低气压的条件下,金刚石薄膜表面的硼原子浓度更高;高掺硼浓度的BDD电极具有更优越的电化学性能,更高的降解效率以及更低的降解能耗。

     

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出版历程
  • 收稿日期:  2023-03-23
  • 修回日期:  2023-09-21
  • 录用日期:  2023-11-07
  • 网络出版日期:  2023-11-07

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